Trung tâm dữ liệu Hoàng Hoa Thám là một trong 5 trung tâm dữ liệu thuộc sở hữu của Viettel IDC, được xây dựng và bắt đầu đưa vào hoạt động phòng máy đầu tiên từ năm 2009 theo tiêu chuẩn quốc tế ANSI/TIA 942 Rated 3. Tòa nhà N3 - Hoàng Hoa Thám là tòa nhà trung tâm dữ liệu mới nhất thuộc trung tâm dữ liệu Hoàng Hoa Thám, được Viettel IDC triển khai và cung cấp dịch vụ từ năm 2020.

Sau hơn 1 năm đi vào hoạt động, bằng việc áp dụng các giải pháp tiết kiệm năng lượng mới như: Hệ thống hành lang nóng/lạnh; Giải pháp Free Cooling; UPS hiệu suất cao, Acquy lithium; Hệ thống đèn led; Quy trình kiểm toán năng lượng theo ISO 50001:2018; công cụ DCIM để theo dõi tối ưu hiệu quả năng lượng và các thiết bị mạng, máy chủ với bộ cấp nguồn hiệu suất cao,…, Viettel IDC đã tiết kiệm đáng kể, lên đến 30% so với các giải pháp cũ.

Ông Nguyễn Đình Tuấn – Trưởng phòng kỹ thuật, Viettel IDC chia sẻ: “Trung tâm dữ liệu là nơi có mức tiêu thụ năng lượng rất lớn và đòi hỏi sự đầu tư bài bản. Với mục tiêu phát triển bền vững, hướng tới xây dựng, triển khai các trung tâm dữ liệu xanh, thân thiện với môi trường, giảm phát thải CO2, ngoài việc quy hoạch, thiết kế, xây dựng và triển khai trung tâm dữ liệu theo các tiêu chuẩn quốc tế ngay từ đầu như ANSI/TIA 942 Rated 3, ISO 50001:2018, Viettel IDC còn thường xuyên cập nhật, triển khai các giải pháp công nghệ, kỹ thuật mới, tiên tiến cũng như thực hiện kiểm tra, bảo trì, bảo dưỡng hệ thống, kiểm toán năng lượng định kỳ từ đó nâng cao hiệu quả hoạt động các trung tâm dữ liệu, tối ưu hiệu suất, tiết kiệm năng lượng, nâng cao chất lượng dịch vụ cung cấp cho khách hàng.”

Với kinh nghiệm hơn 13 năm cung cấp dịch vụ trung tâm dữ liệu chuẩn quốc tế tại Việt Nam, Viettel IDC đã liên tục cải tiến, ứng dụng mạnh mẽ những công nghệ mới để tối ưu nhiên liệu, giảm phát thải ra môi trường, hướng tới phát triển bền vững để từng bước mang đến cho khách hàng những dịch vụ với trải nghiệm tốt hơn.

Phương Dung

Thiết kế mới có tên “trường hiệu ứng vận chuyển dọc” (VTFET) kế thừa sự thành công của công nghệ FinFET vốn đang được ứng dụng cho một số chip tiên tiến nhất hiện nay, cho phép sắp xếp nhiều bóng bán dẫn hơn trên vi xử lý. Về bản chất, thiết kế mới xếp chồng các bóng bán dẫn theo chiều dọc thay vì bố cục xếp ngang đang được sử dụng trên hầu hết các chip hiện tại.

Các thiết kế bán dẫn theo chiều dọc đang trở thành xu hướng gần đây (thiết kế FinFET đã cho thấy những lợi ích mang lại). Lộ trình tương lai của Intel có vẻ cũng sẽ đi theo xu hướng này, dù ban đầu họ tập trung vào việc xếp chồng các thành phần của chip thay vì các bóng bán dẫn riêng lẻ. Điều này cho thấy, khi không còn cách nào khác để tăng số lượng chip trên một mặt phẳng, giải pháp duy nhất (ngoại trừ đưa ra công nghệ mới thu nhỏ kích cỡ vật lý của bóng bán dẫn) là chồng tầng.

Mặc dù còn khá lâu nữa các thiết kế VTFET mới được sử dụng trong các vi xử lý thương mại, những kết quả mà hai ông lớn đúc chip đưa ra cho thấy triển vọng của công nghệ rất tiềm năng.

Theo đó, VTFET có thể “cải thiện gấp đôi hiệu suất hoặc giảm 85% mức tiêu thụ năng lượng” so với thiết kế FinFET. Việc đưa được thêm nhiều bóng bán dẫn lên các vi xử lý, IBM và Samsung tuyên bố công nghệ VTFET có thể giúp duy trì ổn định mức tăng số lượng bóng bán dẫn như định luật Moore đã đề ra.

IBM và Samsung cũng trích dẫn một số trường hợp tiềm năng và tham vọng trong ứng dụng công nghệ mới này như “pin điện thoại di động có thể sử dụng hơn 1 tuần mà không cần sạc”, tiết kiệm năng lượng trong hoạt động khai thác tiền điện tử hay mã hoá dữ liệu, tạo ra nhiều thiết bị IoT mạnh mẽ hơn, thậm chí cả tàu vũ trụ.

Hồi đầu năm, IBM từng giới thiệu bộ vi xử lý tiến trình 2nm đầu tiên do hãng sản xuất, hướng tới việc tích hợp thêm bóng bán dẫn dựa trên công nghệ thiết kế FinFET sẵn có. VTFET sẽ giúp công nghệ đi xa hơn nữa, dù có thể phải thêm nhiều thời gian người dùng phổ thông mới có thể thấy các vi xử lý được sản xuất dựa trên công nghệ mới nhất của IBM và Samsung.

Intel cũng không ngồi yên trong cuộc đua này khi mùa hè vừa qua, hãng đã công bố lộ trình thiết kế RibbonFET tiếp theo (công nghệ bóng bán dẫn cổng vòm đầu tiên của Intel – GAA). Nó là một phần trong thế hệ sản phẩm bán dẫn Intel 20A dự kiến sản xuất trong năm 2024. Bên cạnh đó, Intel gần đây cũng công bố kế hoạch riêng về công nghệ xếp chồng bóng bán dẫn để nối tiếp RibbonFET trong tương lai.

Vinh Ngô (theo The Verge)

Oppo sẽ ra smartphone cao cấp chạy Snapdragon 8 Gen 1 trong quý 1

Chiếc điện thoại cao cấp tiếp theo của Oppo sẽ sử dụng bộ xử lý Qualcomm Snapdragon Gen 1, về Việt Nam trong năm nay.